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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Confronto
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Differenze
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Motivi da considerare
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
28
Velocità di lettura, GB/s
13.5
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2278
3733
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
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