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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Confronto
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
28
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.9
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
18
Velocità di lettura, GB/s
13.5
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2278
3421
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
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