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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Confronto
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
56
Intorno 50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
56
Velocità di lettura, GB/s
13.5
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2278
2200
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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