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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Confronto
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Punteggio complessivo
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
65
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
8.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
13.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
65
Velocità di lettura, GB/s
13.9
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2385
2041
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
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