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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Confronto
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
41
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.3
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
25
Velocità di lettura, GB/s
13.9
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
18.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2385
3731
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
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