RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Confronto
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
10.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
38
Intorno -19% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
32
Velocità di lettura, GB/s
14.1
10.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2228
2349
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link