RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Confronto
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
10.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
38
Intorno -19% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
32
Velocità di lettura, GB/s
14.1
10.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2228
2349
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link