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Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB Motivi da considerare
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Segnala un bug
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.1 left arrow 6.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    10600 left arrow 8500
    Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    10.6 left arrow 8.4
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    30 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    8.4 left arrow 10.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.1 left arrow 6.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1437 left arrow 1479

Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB Confronto tra le RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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