RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Confronto
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
44
Intorno 36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
28
44
Velocità di lettura, GB/s
12.6
12.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2022
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link