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Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Confronto
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB vs Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
32
32
Velocità di lettura, GB/s
15.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
11.9
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2967
2967
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
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