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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Confronto
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
15.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
41
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
13.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
37
Velocità di lettura, GB/s
16.3
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
13.5
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3146
3373
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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