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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Confronto
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
38
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
21
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2099
3356
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
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