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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Confronto
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
38
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
34
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2099
2902
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
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