Confronto tra le RAM Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Punteggio complessivo

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

38 57

Intorno 33% latenza inferiore

Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

19.1 12.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.1 9.1

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 12800

Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2099 2377

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns