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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Confronto
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
25
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
21
Velocità di lettura, GB/s
14.2
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2307
3380
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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