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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Confronto
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
40
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
7.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
28
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.0
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2021
3593
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
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