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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Confronto
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
10
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
40
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
7.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
30
Velocità di lettura, GB/s
12.8
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.0
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2021
2234
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
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