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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Confronto
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
40
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
32
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2021
2952
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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