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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Confronto
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
39
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
28
Velocità di lettura, GB/s
12.1
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2453
3420
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
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