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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Confronto
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
39
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
26
Velocità di lettura, GB/s
12.1
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2453
2806
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB Confronto tra le RAM
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Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
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