Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Punteggio complessivo
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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB

Punteggio complessivo
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    19 left arrow 32
    Intorno 41% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    18.1 left arrow 16.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    15.4 left arrow 11.9
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 10600
    Intorno 2.01 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    19 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    18.1 left arrow 16.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    11.9 left arrow 15.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3040 left arrow 3579
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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