RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Confronto
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
28
Intorno 39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.8
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
17
28
Velocità di lettura, GB/s
22.8
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
15.4
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3391
3299
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link