Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Punteggio complessivo
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Punteggio complessivo
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Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    17 left arrow 71
    Intorno 76% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    22.8 left arrow 15.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    15.4 left arrow 7.9
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 10600
    Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    17 left arrow 71
  • Velocità di lettura, GB/s
    22.8 left arrow 15.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    15.4 left arrow 7.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3391 left arrow 1757
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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