RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Confronto
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
27
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.8
17.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
17
27
Velocità di lettura, GB/s
22.8
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
15.4
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3391
3152
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link