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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Confronto
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
43
Intorno 60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.8
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
17
43
Velocità di lettura, GB/s
22.8
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
15.4
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3391
2058
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
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