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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Confronto
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
39
Intorno -15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
34
Velocità di lettura, GB/s
14.0
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2489
3055
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMZ32GX3M4X1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
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