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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Confronto
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
39
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
28
Velocità di lettura, GB/s
14.0
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2489
3010
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMZ32GX3M4X1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
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