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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Confronto
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
39
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
36
Velocità di lettura, GB/s
14.0
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2489
2490
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMZ32GX3M4X1600C10 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
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