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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Confronto
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
6.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
37
Intorno -54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
11.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
24
Velocità di lettura, GB/s
11.4
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
6.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1683
2256
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
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