RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Confronto
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
37
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
30
Velocità di lettura, GB/s
11.4
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1683
2953
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
INTENSO M418039 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link