Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB

Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB vs Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB

Punteggio complessivo
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Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB

Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB

Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.9 left arrow 9.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.1 left arrow 5.3
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 35
    Intorno -30% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 10600
    Intorno 1.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    35 left arrow 27
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.9 left arrow 9.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.1 left arrow 5.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2696 left arrow 1612
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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