Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB vs Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB

Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    19 left arrow 29
    Intorno 34% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.7 left arrow 5.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.7 left arrow 3.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    10600 left arrow 8500
    Intorno 1.25% larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    19 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    17.7 left arrow 5.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    11.7 left arrow 3.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2690 left arrow 609
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