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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Confronto
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
31
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
17.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
12.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
28
Velocità di lettura, GB/s
17.1
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.9
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3222
3402
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
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