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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Confronto
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
85
Intorno 60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
11.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
6.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
85
Velocità di lettura, GB/s
16.2
11.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2636
1118
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
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Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
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