RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Confronto
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
34
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
16.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
9.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
33
Velocità di lettura, GB/s
16.2
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2636
2913
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link