RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Confronto
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
36
Intorno 6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
9.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
36
Velocità di lettura, GB/s
16.2
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2636
2490
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link