RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Confronto
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
29
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
23
Velocità di lettura, GB/s
16.9
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2601
2659
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link