RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Confronto
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
65
Intorno 55% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
16.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
65
Velocità di lettura, GB/s
16.9
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2601
1921
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link