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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
39
Intorno 26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
39
Velocità di lettura, GB/s
16.9
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2601
2221
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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