RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Confronto
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
31
Intorno 6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
31
Velocità di lettura, GB/s
16.9
12.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2601
2361
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link