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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
41
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
8.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
36
Velocità di lettura, GB/s
13.3
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2394
3044
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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