Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 41
    Intorno -41% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.7 left arrow 13.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.8 left arrow 8.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    41 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.3 left arrow 13.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.8 left arrow 9.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2394 left arrow 2407
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti