RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
54
Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
54
Velocità di lettura, GB/s
13.3
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2394
2226
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link