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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Confronto
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
32
Intorno 28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
32
Velocità di lettura, GB/s
13.6
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2096
2370
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
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