RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Confronto
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
23
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
22
Velocità di lettura, GB/s
13.6
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2096
3036
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link