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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Confronto
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
40
Intorno -82% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.7
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
22
Velocità di lettura, GB/s
12.6
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
17.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2209
3987
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
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