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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
49
Intorno 18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
49
Velocità di lettura, GB/s
12.6
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2209
2413
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
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