RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Confronto
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Punteggio complessivo
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
29
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
20
Velocità di lettura, GB/s
12.8
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2282
3395
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link