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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Confronto
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
44
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
33
Velocità di lettura, GB/s
12.6
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2193
2800
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
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