RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Confronto
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
44
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
25
Velocità di lettura, GB/s
12.6
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2193
2889
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link