RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Confronto
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
55
Intorno 16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
55
Velocità di lettura, GB/s
16.1
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
15.1
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2973
2701
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link